互联网消息·芯片5月8日 据当地媒体报道，韩国政府将投入5000 亿韩元（约合3 443 亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型研发计划，全力破解
互联网消息·芯片5月8日 据当地媒体报道，韩国政府将投入5000 亿韩元（约合3.443 亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型研发计划，全力破解当前高度依赖进口的产业困境。
韩国功率半导体市场对外依存度极高，国内需求约90%—95%依靠进口，成为新能源汽车、工业电源、高端装备等关键领域的供应链短板。此次政府投入将带动民间配套资金跟进，项目总投资规模有望达到7500 亿韩元，形成政府与市场协同发力的格局。
按照官方规划，2026 年将率先开展基础设施建设，重点推进8 英寸功率半导体晶圆厂公共平台的地基工程，并加快向民营代工厂进行技术转移。当前全球功率半导体晶圆仍以 6 英寸为主，8 英寸量产后可显著提升产能、降低成本，助力韩国在第三代半导体赛道抢占先机。
技术路线上，韩国将碳化硅（SiC） 作为核心突破方向，目标在2027 年实现1.2kV 级 SiC MOSFET等关键器件的规模化量产，覆盖车规级与工业级高端应用场景。政府同时设定明确目标，到2030 年将功率半导体的技术自主率与本土产能占比在现有基础上提升一倍，全面强化产业链自主可控能力。
业内分析指出，功率半导体是支撑新能源、智能制造、轨道交通等产业的核心基础元器件，韩国此次大手笔投入，既是补全系统半导体短板的关键举措，也是在全球第三代半导体竞争中提升话语权的重要布局。随着公共产能落地与技术成果转化，韩国有望缩小与国际领先厂商的差距，重塑全球功率半导体产业格局。