美国和韩国存储芯片太贪婪,价格暴涨四成,收割中国制造近3000亿

市调机构TrendForce指出今年一季度全球存储芯片暴涨超两成,预估今年二季度再涨近两成,如此今年上半年全球存储芯片价格将暴涨四成,美国和韩国的存储芯片将是最

市调机构TrendForce指出今年一季度全球存储芯片暴涨超两成,预估今年二季度再涨近两成,如此今年上半年全球存储芯片价格将暴涨四成,美国和韩国的存储芯片将是最大受益者,而中国制造将为此多付近3000亿元人民币。

韩国为全球最大的存储芯片生产国,三星占有四成多的市场份额,SK海力士则占有两成多的市场份额,两者合计占有近七成的市场份额;美国的美光则是全球第三大存储芯片企业,占有一成多的市场份额。

这一轮存储芯片涨价,已让这几家存储芯片企业获益巨大,三星和SK海力士都取得了业绩的倍速增长,美光则扭亏为盈,可以看出存储芯片涨价给他们带来多大的好处。

美韩芯片取得了更多利益,付出代价的则是中国制造,中国每年进口的存储芯片金额高达1000亿美元,如此情况下,存储芯片价格上涨四成,中国就得多付出400亿美元,接近3000亿元人民币。

这轮存储芯片价格上涨,被认为有人为操纵的嫌疑,美国芯片联手炒高存储芯片价格,而采购存储芯片数量最多的中国制造则成为他们的收割的目标,美韩芯片的做法势必促使中国加强存储芯片的发展,避免一再受制于人。

在2021年到2022年的时候,中国存储芯片曾飞速发展,中国存储芯片量产了全球最先进的232层NAND flash存储芯片,并且中国两家存储芯片企业还推进产能增加两倍的二期工程,由此导致存储芯片价格暴跌。

当时存储芯片价格一度腰斩,这为中国制造节省了大量外汇,就在中国存储芯片打算进一步发展的时候,美国却突然对中国存储芯片行业采取措施,阻止全球先进的芯片设备和材料供应给这两家存储芯片企业,导致这两家存储芯片企业的技术发展陷入停滞。

2023年三星、美光等成功量产300层NAND flash存储芯片,而中国存储芯片仍然停留在232层,并且中国芯片占有的份额仅有4%左右,市场垄断和技术优势,让美韩芯片再次掌握了话语权,他们开始推动存储芯片价格的上涨。

美韩芯片操纵存储芯片价格是有前例的,多年之前三星就曾因为操纵存储芯片价格导致被美国罚款数亿美元,早几年韩国存储芯片企业又是以洪水、火灾等为由指出供应减少,推动存储芯片价格持续飙涨,如今存储芯片再度上涨,就不免让人猜想他们故技重施,目的自然是为了从中国制造身上赚更多钱钱,这对于美国来说当然是乐于看见的事情。

这就说明中国芯片需要加强自主研发,只有我们的存储芯片技术足够强、产能上去了,可以替代美韩的存储芯片,那么美韩的存储芯片将无法再如今天这样,随他们涨价。相比起其他芯片,存储芯片都是用10纳米以上工艺,对先进工艺要求不高,随着国产芯片产业链的发展,中国存储芯片必将实现独立自主的目标,为中国制造提供有力支持。

5G射频芯片和模拟芯片就是如此,随着中国芯片打破这些芯片的空白,美国芯片企业德州仪器不得不降价九成,大量芯片还成为库存而在仓库蒙尘,相信中国芯片行业的努力,中国存储芯片必将走出独立自主发展的道路。

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