互联网消息·芯片7月1日 随着半导体行业技术的不断进步，ASML公司即将在2030年推出Hyper-NA EUV设备，这一设备将能够支持1纳米以下的先进工艺技术。这一消息由韩国媒体Chosun Biz报道，标志着ASML在EUV光刻技术领域的又一次重大突破。
EUV光刻技术以其高分辨率和生产效率而闻名，它不仅能够制造出更复杂的电路图案，还能简化制造流程，提升芯片性能。然而，这种技术的高昂成本一直是行业的主要顾虑。目前，一台EUV设备的价格约为1.8亿美元，而新型High-NA EUV设备的价格更是高达3.6亿美元。预计Hyper-NA EUV设备的价格将超过7.2亿美元。
尽管价格昂贵，但ASML已经收到了主要行业参与者的订单。台积电的张凯文博士表示，尽管High-NA EUV的性能卓越，但其价格也相当昂贵。他建议台积电应该继续利用现有的EUV设备，以实现1.6纳米技术的发展。
行业分析师预计，台积电可能会继续其现有的EUV设备战略，专注于多重图案技术，并在评估新设备采用的规模时，谨慎行事以减轻投资负担。
与此同时，三星也在考虑High-NA设备的采用时机，可能会直接跳过High-NA EUV，转向Hyper-NA系统，尽管这存在一定的风险。
英特尔作为High-NA EUV技术的早期采用者，已经面临了财务挑战。2023年，其代工部门亏损高达70亿美元，并且这种亏损在2024年第一季度仍在继续。这在一定程度上是由于早期采用下一代EUV设备的成本负担。
ASML表示，其向英特尔供应的High-NA EUV系统能够处理从2纳米到0.7纳米的工艺。展望未来，Hyper-NA EUV技术对于实现1纳米以下工艺将变得至关重要。
随着技术的发展和成本的降低，Hyper-NA EUV设备有望成为推动半导体行业进一步发展的关键力量。尽管面临诸多挑战，但ASML的这一创新无疑将为全球芯片制造商提供新的机遇和可能性。
